Bi1.85In0.15Se3单晶的结构及输运特性研究
来源期刊：功能材料2017年第1期
论文作者：张敏 魏占涛 羊新胜
文章页码：1064 - 1067
关键词：Bi1.85In0.15Se3;单晶;输运性能;负磁电阻效应;
摘 要：主要研究了Bi1.85In0.15Se3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。
张敏1，魏占涛2，羊新胜3
1. 西华师范大学物理与空间科学学院2. 西南应用磁学研究所3. 西南交通大学超导与新能源研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室
摘 要：主要研究了Bi1.85In0.15Se3的晶体结构、微观形貌及电输运性能。样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理。样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为。拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存。当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2Se3相反的负磁电阻效应。这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关。
关键词：Bi1.85In0.15Se3;单晶;输运性能;负磁电阻效应;
