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C/SiC_w复合体的制备及其吸波性能研究

来源期刊:功能材料2014年第1期

论文作者:黄海翔 刘洪波 李劲 邵南子

文章页码:1025 - 1029

关键词:溶胶-凝胶;碳热还原;热解炭;SiC晶须;吸波性能;

摘    要:以酚醛树脂为碳源,正硅酸乙酯为硅源,采用凝胶-碳热还原法制备C/SiC w复合体,考察了催化剂、碳热还原温度等工艺条件对C/SiC w复合体的结构和性能的影响。结果表明,碳硅比为3∶1的前驱体,在FeCl3催化作用下,1 500℃制备的C/SiC w-50复合体具有良好的吸波性能,1∶2的石蜡介质测试样在218 GHz频率范围内,3 mm厚度的最大反射损耗为-27.2 dB,反射损耗低于-5 dB的频率范围为6.310.8 GHz,频宽达4.5 GHz。

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C/SiC_w复合体的制备及其吸波性能研究

黄海翔,刘洪波,李劲,邵南子

湖南大学材料科学与工程学院

摘 要:以酚醛树脂为碳源,正硅酸乙酯为硅源,采用凝胶-碳热还原法制备C/SiC w复合体,考察了催化剂、碳热还原温度等工艺条件对C/SiC w复合体的结构和性能的影响。结果表明,碳硅比为3∶1的前驱体,在FeCl3催化作用下,1 500℃制备的C/SiC w-50复合体具有良好的吸波性能,1∶2的石蜡介质测试样在218 GHz频率范围内,3 mm厚度的最大反射损耗为-27.2 dB,反射损耗低于-5 dB的频率范围为6.310.8 GHz,频宽达4.5 GHz。

关键词:溶胶-凝胶;碳热还原;热解炭;SiC晶须;吸波性能;

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