栅控单片宽带可变增益放大器
来源期刊：稀有金属2004年第5期
论文作者：魏同立 林金庭 彭龙新
关键词：单片集成电路; 可变增益; 赝配高电子迁移率晶体管;
摘 要：报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.
魏同立1，林金庭2，彭龙新2
(1.东南大学微电子中心,江苏,南京,210096;
2.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016)
摘要:报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.
关键词:单片集成电路; 可变增益; 赝配高电子迁移率晶体管;
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