后续的KOH腐蚀对ZnO纳米棒阵列及性能的影响

来源期刊：材料导报2014年第S1期

论文作者：李荡 曹晖 刘少友

文章页码：33 - 35

关键词：化学沉积;KOH腐蚀;ZnO纳米棒阵列;光电性能;

摘    要：采用化学沉积和KOH腐蚀结合的方法,在FTO导电玻璃上制备了ZnO纳米棒阵列。用XRD、SEM、I-V曲线对ZnO纳米棒阵列的结构和性能进行了表征。结果表明:ZnO纳米棒为单晶,属于六方纤锌矿结构。后续的KOH腐蚀有利于ZnO纳米阵列形貌的改变及光电性能的提高,将ZnO纳米棒阵列作为光阳极制备染料敏化太阳能电池,被KOH腐蚀后的ZnO纳米棒阵列的光电转换效率（η）、短路电流（Jsc）、开路电压（Voc）分别达到1.2%、0.006A/cm2、0.557V,与未被KOH腐蚀的ZnO纳米棒相比,光电转换效率提高了1.05%。