硅纳米孔柱阵列的场致电子发射
来源期刊：功能材料2009年第12期
论文作者：程莉娜 罗艳伟 李坤 富笑男 李新建 符建华
关键词：硅纳米孔柱阵列; 场致电子发射; 纳米硅; 多孔硅; silicon nanoporous pillar array(Si-NPA); field emission; nano-silicon; porous silicon;
摘 要：测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能.测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm~2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%.Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致.
程莉娜1，罗艳伟1，李坤1，富笑男1，李新建2，符建华1
(1.河南工业大学,理学院,河南,郑州,450001;
2.郑州大学,物理系,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052)
摘要:测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能.测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm~2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%.Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致.
关键词:硅纳米孔柱阵列; 场致电子发射; 纳米硅; 多孔硅; silicon nanoporous pillar array(Si-NPA); field emission; nano-silicon; porous silicon;
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