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用射频PCVD法沉积Si-B-N复合薄膜

来源期刊：机械工程材料2002年第4期

论文作者：于俊峰于翔王成彪

关键词：RF-PCVD装置; Si-B-N复合薄膜; 等离子体化学气相沉积;

摘要：使用工业射频等离子体化学气相沉积(RF-PCVD)设备,通过控制合理的工艺参数,在不同的基体负偏压下,分别制备出了Si-B-N非晶以及含有h-BN、c-BN显著结晶相的Si-B-N复合薄膜.提出了这两种不同晶形薄膜的形成模型.

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于俊峰¹，于翔¹，王成彪¹

(1.中国地质大学工程技术学院,北京,100083)

摘要:使用工业射频等离子体化学气相沉积(RF-PCVD)设备,通过控制合理的工艺参数,在不同的基体负偏压下,分别制备出了Si-B-N非晶以及含有h-BN、c-BN显著结晶相的Si-B-N复合薄膜.提出了这两种不同晶形薄膜的形成模型.

关键词:RF-PCVD装置; Si-B-N复合薄膜; 等离子体化学气相沉积;

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