B2O3和Al2O3共同掺杂ZnO压敏陶瓷的性能
来源期刊：材料研究学报2021年第2期
论文作者：王昊 赵洪峰 康加爽 周远翔 谢清云
文章页码：110 - 114
关键词：无机非金属材料;ZnO压敏陶瓷;电学性能;微观结构;
摘 要：研究了B2O3（B）和Al2O3（Al）共掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能和微观结构的影响。结果表明,共掺杂B和Al的ZnO压敏陶瓷,具有低泄漏电流、高非线性和低剩余电压等优良电性能。B和Al的掺杂率为3.0%（摩尔分数）和0.015%（摩尔分数）的ZnO压敏陶瓷,其最佳样品的电参数为:击穿电压E1 mA=475 V/mm;泄漏电流JL=0.16μA/cm2;非线性系数α=106;剩余电压比K=1.57。
王昊1，赵洪峰1，康加爽1，周远翔2，谢清云3
1. 新疆大学电气工程学院电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室2. 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室3. 西安西电避雷器有限公司
摘 要：研究了B2O3（B）和Al2O3（Al）共掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能和微观结构的影响。结果表明,共掺杂B和Al的ZnO压敏陶瓷,具有低泄漏电流、高非线性和低剩余电压等优良电性能。B和Al的掺杂率为3.0%（摩尔分数）和0.015%（摩尔分数）的ZnO压敏陶瓷,其最佳样品的电参数为:击穿电压E1 mA=475 V/mm;泄漏电流JL=0.16μA/cm2;非线性系数α=106;剩余电压比K=1.57。
关键词：无机非金属材料;ZnO压敏陶瓷;电学性能;微观结构;
