电感耦合等离子体原子发射光谱法测定铌铁中硅

李秀华¹，王文品²，何玉田³，张艳茹³，韩金凤³

1. 唐山科技职业技术学院冶金系2. 唐山益安矿用设备检测检验有限公司3. 河北唐钢集团技术中心

摘 要：在常温下用HNO3和HF溶解样品,采用标准加入法消除样品基体的干扰,通过电感耦合等离子体发射光谱仪的专利分析软件选择适当的背景点扣除背景,解决了传统的标准加入法只能用于数量少的样品分析和不能消除背景干扰的缺点。通过编辑分析程序自动绘制工作曲线和计算结果,采用钇内标加入法提高了方法的稳定性,实现了采用电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）铌铁中硅的测定。考察并选择了电感耦合等离子体光谱仪的RF功率、雾化气流量、辅助气流量等最佳分析参数。对一铌铁试样中硅进行10次测定,测定结果的相对标准偏差为2.4%,标样的测定值与认定值相符。

关键词：电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）;标准加入;铌铁;硅;