铒偏析与沉淀对掺铒硅1.54 μm光发射的影响
来源期刊：中国稀土学报2002年第1期
论文作者：肖志松 张通和 易仲珍 徐飞 顾岚岚 程国安 曾宇昕
关键词：稀土; 离子注入; 掺铒硅; 偏析; 光致发光;
摘 要：用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜, 研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对1.54 μm光发射的影响. RBS分析表明, Er的掺杂浓度可达～10%(原子分数), 即Er原子体浓度为1×1021 cm-3. XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现, Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关. Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的1.54 μm光发射.
肖志松1，张通和1，易仲珍1，徐飞2，顾岚岚3，程国安4，曾宇昕4
(1.北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;
2.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433,南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047;
3.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433;
4.南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047)
摘要:用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜, 研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对1.54 μm光发射的影响. RBS分析表明, Er的掺杂浓度可达～10%(原子分数), 即Er原子体浓度为1×1021 cm-3. XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现, Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关. Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的1.54 μm光发射.
关键词:稀土; 离子注入; 掺铒硅; 偏析; 光致发光;
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