深亚微米集成电路用硅单晶材料
来源期刊：材料导报2002年第2期
论文作者：杨德仁 阙端麟
关键词：硅; 集成电路; 缺陷;
摘 要：由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的3∞毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度.最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势.
杨德仁1，阙端麟1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027)
摘要:由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的3∞毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度.最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势.
关键词:硅; 集成电路; 缺陷;
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