二氧化铪(HfO_2)薄膜的自组装制备
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：谈国强 苗鸿雁 夏傲 梁东 刘剑 贺中亮
关键词：自组装单层膜法; HfO_2; 薄膜; SAMs; HfO_2; thin film;
摘 要：以Hf(SO_4)_2·4H_2O和HCl配制HfO_2前驱液,利用自组装单层膜技术,在OTS自组装单层膜的功能性基团表面制备晶态二氧化铪薄膜.研究了HfO_2前驱液的浓度,退火温度和有机硅烷单分子层等对HfO_2薄膜制备的影响.通过接触角测量仪,XRD和SEM等表征手段,对薄膜表面形貌、微观结构、物相组成进行分析.结果表明:基板在OTS溶液中浸泡为20 min时,有机层表面接触角最大为(110±2)°.利用自组装单层法成功制备出HfO_2晶态薄膜,HfO_2呈立方型,无其他杂相.膜层表面致密均一,生长良好.
谈国强1，苗鸿雁1，夏傲1，梁东1，刘剑1，贺中亮1
(1.陕西科技大学,陕西,西安,710021)
摘要:以Hf(SO_4)_2·4H_2O和HCl配制HfO_2前驱液,利用自组装单层膜技术,在OTS自组装单层膜的功能性基团表面制备晶态二氧化铪薄膜.研究了HfO_2前驱液的浓度,退火温度和有机硅烷单分子层等对HfO_2薄膜制备的影响.通过接触角测量仪,XRD和SEM等表征手段,对薄膜表面形貌、微观结构、物相组成进行分析.结果表明:基板在OTS溶液中浸泡为20 min时,有机层表面接触角最大为(110±2)°.利用自组装单层法成功制备出HfO_2晶态薄膜,HfO_2呈立方型,无其他杂相.膜层表面致密均一,生长良好.
关键词:自组装单层膜法; HfO_2; 薄膜; SAMs; HfO_2; thin film;
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