旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的测试
来源期刊：材料科学与工程学报2006年第1期
论文作者：颜丙勇 徐东 蔡炳初 叶枝灿 王芸 钱开友
关键词：旋涂法; 弧光放电法; 碳纳米管; 场发射;
摘 要：采用Y2O3和Ni 作催化剂,在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米管.在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米管产物进行进一步提纯后,用这种碳纳米管粉末与酒精配制成悬浮液,通过旋涂、干燥、退火等工艺得到碳纳米管阴极薄膜.I-V测试表明用该法得到的碳纳米管薄膜具有良好的电子场致发射性能.
颜丙勇1，徐东1，蔡炳初1，叶枝灿1，王芸1，钱开友1
(1.薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海,200030)
摘要:采用Y2O3和Ni 作催化剂,在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米管.在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米管产物进行进一步提纯后,用这种碳纳米管粉末与酒精配制成悬浮液,通过旋涂、干燥、退火等工艺得到碳纳米管阴极薄膜.I-V测试表明用该法得到的碳纳米管薄膜具有良好的电子场致发射性能.
关键词:旋涂法; 弧光放电法; 碳纳米管; 场发射;
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