聚酰亚胺纳米杂化薄膜绝缘材料77K下的电击穿性能研究
来源期刊：绝缘材料2005年第5期
论文作者：李元庆 付绍云
关键词：纳米杂化材料; 聚酰亚胺; 蒙脱土; 聚酰亚胺; 云母; 氧化硅; 低温电气强度;
摘 要：介绍了 77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺 /蒙脱土、聚酰亚胺 /云母、聚酰亚胺 /SiO2 三个系列的低温电气强度.结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺 /蒙脱土电气强度最佳可达 215.77MV/m;对于聚酰亚胺 /SiO2系列,电气强度比纯 PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.
李元庆1，付绍云1
(1.中国科学院理化技术研究所,北京,100080)
摘要:介绍了 77K下薄膜状绝缘材料电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺 /蒙脱土、聚酰亚胺 /云母、聚酰亚胺 /SiO2 三个系列的低温电气强度.结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺 /蒙脱土电气强度最佳可达 215.77MV/m;对于聚酰亚胺 /SiO2系列,电气强度比纯 PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.
关键词:纳米杂化材料; 聚酰亚胺; 蒙脱土; 聚酰亚胺; 云母; 氧化硅; 低温电气强度;
【全文内容正在添加中】
