简介概要

硅气相浸渍反应制备SiC/C复合材料的研究

来源期刊：材料导报2010年第12期

论文作者：王伟金志浩关堂新

文章页码：26 - 28

关键词：多孔碳;气相浸渍;SiC陶瓷;反应机理;

摘要：以滤纸和酚醛树脂为原料,经模压固化、碳化制备了具有三维不规则孔隙结构的多孔碳,再经过高温气相渗硅得到SiC/C复合材料。SEM结果表明,SiC/C复合体遗传了多孔碳前驱体的显微结构,同时SiC/C复合体具有较好的弯曲强度和气孔率。提出了一种简单的反应模型,对硅的气相反应和扩散过程进行了解释。

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王伟¹，金志浩²，关堂新³

1. 长安大学环境科学与工程学院化工系2. 西安交通大学材料科学与工程学院3. 海军驻合肥地区军事代表室

关键词：多孔碳;气相浸渍;SiC陶瓷;反应机理;