GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析
来源期刊：功能材料2008年第3期
论文作者：沈光地 田彦宝 关宝璐 吉元 王俊忠 郭霞 张隐奇
关键词：电子背散射衍射(EBSD); 微区应力; GaAs-AlGaAs;
摘 要：采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.
沈光地1，田彦宝2，关宝璐1，吉元2，王俊忠2，郭霞1，张隐奇2
(1.北京工业大学,光电子技术研究所,北京,100022;
2.北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022)
摘要:采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.
关键词:电子背散射衍射(EBSD); 微区应力; GaAs-AlGaAs;
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