氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性
来源期刊：功能材料2002年第3期
论文作者：杨慎东 叶超 宁兆元 康健 程珊华 甘肇强 黄峰
关键词：a-C:F薄膜; MWECR-CVD; 光学带隙; J-V特性;
摘 要：用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制.
杨慎东1，叶超1，宁兆元1，康健1，程珊华1，甘肇强1，黄峰1
(1.苏州大学物理系,江苏苏州，215006)
摘要:用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制.
关键词:a-C:F薄膜; MWECR-CVD; 光学带隙; J-V特性;
【全文内容正在添加中】
