i基区渐变掺杂SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性模拟
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第4期
论文作者：余宁梅 安涛 马丽 高勇 祁慧
关键词：SiGe/Si异质结; PIN二极管; 渐变掺杂; Medici; 软恢复;
摘 要：提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.还对渐变掺杂所得到的优越性能进行了分析,从理论上给出了较好的解释.
余宁梅1，安涛1，马丽1，高勇1，祁慧1
(1.西安理工大学电子工程系,西安,710048)
摘要:提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.还对渐变掺杂所得到的优越性能进行了分析,从理论上给出了较好的解释.
关键词:SiGe/Si异质结; PIN二极管; 渐变掺杂; Medici; 软恢复;
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