等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究
来源期刊：功能材料2001年第5期
论文作者：杜国同 杨树人 姜秀英 高鼎三 王剑刚 王金忠 王新强
关键词：等离子体辅助MOCVD; X光衍射; 光致发光; 激光阈值;
摘 要：用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm.这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高.
杜国同1，杨树人1，姜秀英1，高鼎三1，王剑刚1，王金忠1，王新强1
(1.吉林大学)
摘要:用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm.这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高.
关键词:等离子体辅助MOCVD; X光衍射; 光致发光; 激光阈值;
【全文内容正在添加中】
