氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
来源期刊：功能材料2004年增刊第1期
论文作者：何志 李卫青 李英爱 赵永年 顾广瑞 冯伟 刘丽华 赵春红
关键词：氮化硼薄膜; 场发射; 表面处理; 阈值电场; 发射电流;
摘 要：用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.
何志1，李卫青1，李英爱1，赵永年1，顾广瑞1，冯伟1，刘丽华1，赵春红1
(1.吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023)
摘要:用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.
关键词:氮化硼薄膜; 场发射; 表面处理; 阈值电场; 发射电流;
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