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溅射制备CdS薄膜及其在CdTe电池中的应用

来源期刊:功能材料2016年第3期

论文作者:高文敏 武莉莉 曾广根 王文武 李卫 张静全 黎兵 冯良桓

文章页码:3047 - 3050

关键词:磁控溅射;CdS薄膜;CdS/CdTe电池;

摘    要:采用射频磁控溅射方法分别在石英玻璃和TCO玻璃上制备了不同厚度的CdS薄膜,研究了CdS薄膜厚度对薄膜结构和光学性质的影响。在不同厚度的CdS/TCO衬底上,进一步制备成CdTe薄膜太阳电池。结果表明,CdS薄膜厚度的增加有利于薄膜的生长与结晶;110nm的薄膜具有禁带宽度为2.41eV的最大值;测试电池性能,得到CdS厚度为110nm的电池具有11.42%的最高转换效率。

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溅射制备CdS薄膜及其在CdTe电池中的应用

高文敏,武莉莉,曾广根,王文武,李卫,张静全,黎兵,冯良桓

四川大学材料科学与工程学院

摘 要:采用射频磁控溅射方法分别在石英玻璃和TCO玻璃上制备了不同厚度的CdS薄膜,研究了CdS薄膜厚度对薄膜结构和光学性质的影响。在不同厚度的CdS/TCO衬底上,进一步制备成CdTe薄膜太阳电池。结果表明,CdS薄膜厚度的增加有利于薄膜的生长与结晶;110nm的薄膜具有禁带宽度为2.41eV的最大值;测试电池性能,得到CdS厚度为110nm的电池具有11.42%的最高转换效率。

关键词:磁控溅射;CdS薄膜;CdS/CdTe电池;

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