基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响
来源期刊：功能材料2005年第3期
论文作者：韩高荣 翁文剑 杜丕一 汪建勋 沈鸽 谢莲革
关键词：APCVD法; Sb掺杂SnO2薄膜; 基板温度;
摘 要：以单丁基三氯化锡(MBTC)和SbCl3为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD法)在不同的基板温度下制备Sb掺杂SnO2薄膜,用XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响.实验表明550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降.
韩高荣1，翁文剑1，杜丕一1，汪建勋1，沈鸽1，谢莲革1
(1.浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
摘要:以单丁基三氯化锡(MBTC)和SbCl3为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD法)在不同的基板温度下制备Sb掺杂SnO2薄膜,用XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响.实验表明550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降.
关键词:APCVD法; Sb掺杂SnO2薄膜; 基板温度;
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