C/C泡沫预制体液相硅浸渗制备C/SiC复合材料研究
来源期刊:材料导报2010年第S2期
论文作者:刘伟 刘荣军 曹英斌 李凯
文章页码:529 - 532
关键词:C泡沫;液相硅浸渗;C/SiC;孔隙率;
摘 要:以中间相沥青浸渍整体碳毡发泡技术制备的一种新型多孔C/C泡沫复合材料为预制体,通过液相硅浸渗(LSI)工艺制备了C/SiC复合材料,研究了预制体不同孔隙率对Si浸渗及C/SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响,分析了复合材料的物相组成和晶体结构。结果表明,采用发泡技术可以快速有效地实现C/C预制体的致密化处理。预制体孔隙率为65.41%时液相硅浸渗处理后所得复合材料性能最好,密度为2.64g/cm~3,弯曲强度为137MPa,弹性模量为150GPa。纤维未作表面抗硅化涂层处理以及复合材料中存在闭孔是C/SiC复合材料性能不佳的主要原因。
刘伟1,刘荣军1,曹英斌1,李凯2
1. 国防科技大学航天与材料工程学院2. 防化研究院第一研究所
摘 要:以中间相沥青浸渍整体碳毡发泡技术制备的一种新型多孔C/C泡沫复合材料为预制体,通过液相硅浸渗(LSI)工艺制备了C/SiC复合材料,研究了预制体不同孔隙率对Si浸渗及C/SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响,分析了复合材料的物相组成和晶体结构。结果表明,采用发泡技术可以快速有效地实现C/C预制体的致密化处理。预制体孔隙率为65.41%时液相硅浸渗处理后所得复合材料性能最好,密度为2.64g/cm~3,弯曲强度为137MPa,弹性模量为150GPa。纤维未作表面抗硅化涂层处理以及复合材料中存在闭孔是C/SiC复合材料性能不佳的主要原因。
关键词:C泡沫;液相硅浸渗;C/SiC;孔隙率;