电化学调控浮选能带模型及应用(Ⅰ)——半导体能带理论及模型

来源期刊:中国有色金属学报2000年第2期

论文作者:陈建华 冯其明 卢毅屏

文章页码:240 - 244

关键词:半导体矿物; 能带理论; 浮选

Key words:semiconductor minerals; energy band theory; flotation

摘    要:根据硫化矿物的半导体性质以及硫化矿浮选的电化学特性,得出了半导体矿物-溶液界面的电子能级分布能带模型。提出采用矿物浮选常用参数,即矿物静电位和矿物颗粒表面动电位来计算硫化矿物的费米能级和边缘能级的简便方法。矿物的禁带宽度、功函数、药剂吸附、溶液性质以及离子强度等因素能够改变矿物边缘能级的大小。

Abstract: The energy band model of electronic level distribution at solid-solution interface has been described according to semiconductor properties of sulfide minerals and electrochemical characteristics of sulfide flotation. The simple methods are put forward to calculate Fermi level and edge level of sulfide mineral by means of potential of mineral electrode and zeta potential of mineral surface. Band gap width of sulfide mineral, work function, adsorption of reagents, solution property and ion strength of solution can affect edge level of sulfide mineral.

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