热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第11期
论文作者：胡前库 王天生 田永君 迟振华 罗晓光 于栋利
关键词：MgB2薄膜; 微观结构; 超导电性; 热丝化学气相沉积;
摘 要：用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.
胡前库1，王天生1，田永君1，迟振华1，罗晓光1，于栋利1
(1.燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004)
摘要:用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.
关键词:MgB2薄膜; 微观结构; 超导电性; 热丝化学气相沉积;
【全文内容正在添加中】
