Cu-In合金硒化法制备CuInSe_2薄膜
来源期刊：材料导报2009年第22期
论文作者：潘勇 王建兴 欧铜钢 周兆锋 谭艳芳
关键词：电沉积; Cu-In; CuInse_2; 硒化; electrodposition; Cu-Zn; CuInSe_2; selenization;
摘 要：采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe_2薄膜.采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比.研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响.硒化后,Cu与In的化学计量比为1,1时形成了比较单一的CuInSe_2黄铜矿相结构.
潘勇1，王建兴1，欧铜钢1，周兆锋1，谭艳芳1
(1.湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,4111051;
2.湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭,411105)
摘要:采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe_2薄膜.采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比.研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响.硒化后,Cu与In的化学计量比为1,1时形成了比较单一的CuInSe_2黄铜矿相结构.
关键词:电沉积; Cu-In; CuInse_2; 硒化; electrodposition; Cu-Zn; CuInSe_2; selenization;
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