分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层
来源期刊：材料导报2012年第S2期
论文作者：胡飞 叶澍 文思逸 胡跃辉
文章页码：232 - 235
关键词：线性电位扫描;铜铟硒薄膜;分段电沉积;恒电位电沉积;
摘 要：采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2(CIS)薄膜。通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜。结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比。而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比。
胡飞，叶澍，文思逸，胡跃辉
景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室
摘 要：采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2(CIS)薄膜。通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜。结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比。而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比。
关键词：线性电位扫描;铜铟硒薄膜;分段电沉积;恒电位电沉积;
