钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留影响的最新进展
来源期刊：材料热处理学报2019年第11期
论文作者：解玉栋 杨钟时 濮阳寿安 李克栋 念飞飞 李小椿 吴婧 罗广南
文章页码：30 - 41
关键词：氢同位素;缺陷;钨材料;滞留;
摘 要：钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留的影响是目前聚变材料研究领域的关键问题,本文主要介绍了材料本身固有缺陷、不同类型等离子辐照导致的缺陷和中子辐照导致的缺陷等,分别总结了上述不同来源缺陷对于钨中氢同位素滞留情况的研究进展,为以后相关研究方向提供参考。
解玉栋1,2，杨钟时1，濮阳寿安1,2，李克栋1,2，念飞飞1,2，李小椿1，吴婧1，罗广南1
1. 中国科学院等离子物理研究所2. 中国科学技术大学
摘 要：钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留的影响是目前聚变材料研究领域的关键问题,本文主要介绍了材料本身固有缺陷、不同类型等离子辐照导致的缺陷和中子辐照导致的缺陷等,分别总结了上述不同来源缺陷对于钨中氢同位素滞留情况的研究进展,为以后相关研究方向提供参考。
关键词：氢同位素;缺陷;钨材料;滞留;
