单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第5期
论文作者：黄社松 崔碧峰 邢艳辉 牛智川 倪海桥 方志丹
关键词：单光子源; 低密度; 量子点;
摘 要：通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.
黄社松1，崔碧峰2，邢艳辉2，牛智川1，倪海桥1，方志丹2
(1.中国科学院半导体研究所,北京,100083;
2.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022)
摘要:通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.
关键词:单光子源; 低密度; 量子点;
【全文内容正在添加中】
