掺杂浓度及退火对Ta-ZnO透明导电薄膜表面形貌的影响
来源期刊：功能材料2010年第4期
论文作者：宋学萍 孙兆奇 曹铃 陈进军
关键词：Ta-ZnO薄膜; 射频磁控溅射; 掺杂; 表面形貌; 退火;
摘 要：室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了掺Ta-ZnO透明导电薄膜,并在不同温度下退火处理.利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜进行了表征分析,对于不同掺杂比例的Ta-ZnO薄膜以及退火后的Ta-ZnO薄膜的表面形貌进行了研究. 当掺杂比例为5%(质量分数)时,薄膜有最大平均颗粒尺寸94.46nm和最小表面粗糙度4.48nm.随着退火温度的升高,该薄膜表面粗糙度(RMS)先增加后减小,平均颗粒尺寸在94.46～118.05nm之间.
宋学萍1，孙兆奇1，曹铃1，陈进军3
(1.安徽大学,物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039;
2."光电信息获取与控制"教育部重点实验室,安徽,合肥,230039;
3.贵州大学,电气工程学院,贵州,贵阳,550003)
摘要:室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了掺Ta-ZnO透明导电薄膜,并在不同温度下退火处理.利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜进行了表征分析,对于不同掺杂比例的Ta-ZnO薄膜以及退火后的Ta-ZnO薄膜的表面形貌进行了研究. 当掺杂比例为5%(质量分数)时,薄膜有最大平均颗粒尺寸94.46nm和最小表面粗糙度4.48nm.随着退火温度的升高,该薄膜表面粗糙度(RMS)先增加后减小,平均颗粒尺寸在94.46～118.05nm之间.
关键词:Ta-ZnO薄膜; 射频磁控溅射; 掺杂; 表面形貌; 退火;
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