氧压对脉冲激光沉积LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响
来源期刊：功能材料2011年第S2期
论文作者：王光明 张铭 李廷先 郭宏瑞 严辉
文章页码：325 - 658
关键词：LaNiO3薄膜;氧压;脉冲激光沉积;Si衬底;
摘 要：通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si（100）衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高（100）取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。
王光明，张铭，李廷先，郭宏瑞，严辉
北京工业大学材料学院
摘 要：通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si（100）衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高（100）取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。
关键词：LaNiO3薄膜;氧压;脉冲激光沉积;Si衬底;
