V2O5熔化成膜法制备VO2薄膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2004年第3期
论文作者：徐时清 马红萍
关键词：V2O5; VO2薄膜; 电阻突变;
摘 要：发展了一种新的VO2薄膜制备方法-V2O5熔化成膜法,其基本步骤为:基片预处理-涂粉-熔化成膜-真空退火-VO2薄膜.采用XRD和XPS等手段,对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析,同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试.结果表明:通过该方法获得的薄膜,其主要成分是VO2,电阻突变达到4个数量级,相变温度为67.5℃.
徐时清1，马红萍2
(1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;
2.浙江科技学院,浙江,杭州,310012)
摘要:发展了一种新的VO2薄膜制备方法-V2O5熔化成膜法,其基本步骤为:基片预处理-涂粉-熔化成膜-真空退火-VO2薄膜.采用XRD和XPS等手段,对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析,同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试.结果表明:通过该方法获得的薄膜,其主要成分是VO2,电阻突变达到4个数量级,相变温度为67.5℃.
关键词:V2O5; VO2薄膜; 电阻突变;
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