用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征
来源期刊：材料研究学报2004年第6期
论文作者：唐祯安 徐军 李新
关键词：无机非金属材料; 类金刚石膜; 等离子体源离子注入; 等离子体辅助化学气相沉积; 微电子机械系统;
摘 要：采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在Si衬底上制备出了性能良好的类金刚石膜.通过共聚焦Raman光谱验证了薄膜的类金刚石特性,用原子力显微镜、微摩擦计和扫描电镜等对薄膜的表面形貌、摩擦系数和耐磨损性能进行了表征和测量.结果表明,用离子注入法制备过渡层大大提高了DLC膜与衬底的结合强度,薄膜的表面比较光滑,粗糙度大约为0.198 nm,具有较低的摩擦系数(0.1～0.15),具有较好的耐磨损性能.
唐祯安1，徐军2，李新1
(1.大连理工大学;
2.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;
3.沈阳工业大学)
摘要:采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在Si衬底上制备出了性能良好的类金刚石膜.通过共聚焦Raman光谱验证了薄膜的类金刚石特性,用原子力显微镜、微摩擦计和扫描电镜等对薄膜的表面形貌、摩擦系数和耐磨损性能进行了表征和测量.结果表明,用离子注入法制备过渡层大大提高了DLC膜与衬底的结合强度,薄膜的表面比较光滑,粗糙度大约为0.198 nm,具有较低的摩擦系数(0.1～0.15),具有较好的耐磨损性能.
关键词:无机非金属材料; 类金刚石膜; 等离子体源离子注入; 等离子体辅助化学气相沉积; 微电子机械系统;
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