温度对InAs/GaAs量子点生长影响的动力学蒙特卡罗模拟
来源期刊：功能材料2007年第12期
论文作者：宋禹忻 俞重远 刘玉敏
关键词：动力学蒙特卡罗模拟; 量子点; 外延生长;
摘 要：采用动力学蒙特卡罗模型模拟了GaAs应变弛豫图形衬底上InAs量子点阵列生长早期阶段,温度对浸润层之上第一层亚单原子层阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均大小、岛大小分布及其标准差等方面的研究,证明了通过控制温度能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列,这对后续量子点生长的定位和尺寸控制有重要影响.
宋禹忻1，俞重远1，刘玉敏1
(1.北京邮电大学,理学院,光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876)
摘要:采用动力学蒙特卡罗模型模拟了GaAs应变弛豫图形衬底上InAs量子点阵列生长早期阶段,温度对浸润层之上第一层亚单原子层阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均大小、岛大小分布及其标准差等方面的研究,证明了通过控制温度能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列,这对后续量子点生长的定位和尺寸控制有重要影响.
关键词:动力学蒙特卡罗模拟; 量子点; 外延生长;
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