沉积电位对CdSe纳米晶薄膜的结构、形貌和光学性质的影响
来源期刊：功能材料2008年第5期
论文作者：介万奇 于子龙 陈福义 闫晓红
关键词：电沉积; 薄膜; 量子尺寸效应; CdSe;
摘 要：使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜.研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系.X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600～-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大.原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚.透射光谱测试显示:在350～850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移.所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应.
介万奇1，于子龙1，陈福义1，闫晓红1
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072)
摘要:使用电化学法在ITO玻璃上制备了CdSe纳米晶薄膜.研究了沉积电位对薄膜晶体结构、表面形貌及光学性质的影响,并讨论了所得样品禁带宽度与晶粒尺寸的关系.X-ray衍射结果表明:沉积电位在-600～-700mV之间均可得到立方相CdSe,晶粒尺寸随沉积电位降低而增大.原子力显微镜观察表明,沉积电位较高时,粒子聚集为块状或柱状,沉积电位较低时,粒子呈现不均匀团聚.透射光谱测试显示:在350～850nm波段范围内,随沉积电位降低,透过率降低,吸收边红移.所得样品的禁带宽度均比体相CdSe大,且随晶粒尺寸的增大而减小,表现出明显的量子尺寸效应.
关键词:电沉积; 薄膜; 量子尺寸效应; CdSe;
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