热氧化ZnS∶Ga制备ZnO∶Ga薄膜及其光致发光性能
来源期刊：材料导报2017年第18期
论文作者：张小红 杨卿 张旭晨 马研 易筱银
文章页码：11 - 15
关键词：ZnS薄膜;ZnO;薄膜;Ga掺杂;热氧化;光致发光;
摘 要：利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS(ZnS∶Ga)薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明:Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,进而影响了薄膜的光致发光性能。随着Ga掺杂量增加,ZnO薄膜的致密度提高,颗粒尺寸减小;同时改善了ZnO的化学计量比,氧空位相对含量随之减少;ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。
张小红1，杨卿1,2，张旭晨1，马研1，易筱银1
1. 西安理工大学材料科学与工程学院2. 陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室
摘 要：利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS(ZnS∶Ga)薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明:Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,进而影响了薄膜的光致发光性能。随着Ga掺杂量增加,ZnO薄膜的致密度提高,颗粒尺寸减小;同时改善了ZnO的化学计量比,氧空位相对含量随之减少;ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。
关键词：ZnS薄膜;ZnO;薄膜;Ga掺杂;热氧化;光致发光;
