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CdTe量子点荧光猝灭法测定痕量铬(Ⅲ)

来源期刊:分析试验室2011年第1期

论文作者:徐基贵 张俊俊 陈志兵 陈玉 张莉

文章页码:26 - 28

关键词:CdTe量子点;Cr(Ⅲ);荧光猝灭;

摘    要:以CdTe量子点作为荧光探针,基于荧光猝灭法对Cr(Ⅲ)进行了定量检测,考察了缓冲溶液、量子点浓度、反应时间等多种因素的影响。实验结果表明,在0.1mL pH7.3的0.2mol/L Na2HPO4-NaH2PO4缓冲液中,反应时间为20min,Cr(Ⅲ)浓度为2.4×10-7~6.0×10-6mol/L范围时,其线性回归方程为F0/F=1.1274+0.0640c(10-7mol/L),相关系数和检测限分别为0.9984和4.5×10-8mol/L。为Cr(Ⅲ)的测定提供了新的方法。

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CdTe量子点荧光猝灭法测定痕量铬(Ⅲ)

徐基贵1,2,张俊俊2,陈志兵1,2,陈玉2,张莉1,2

1. 自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室培育基地2. 宿州学院化学与生命科学学院

摘 要:以CdTe量子点作为荧光探针,基于荧光猝灭法对Cr(Ⅲ)进行了定量检测,考察了缓冲溶液、量子点浓度、反应时间等多种因素的影响。实验结果表明,在0.1mL pH7.3的0.2mol/L Na2HPO4-NaH2PO4缓冲液中,反应时间为20min,Cr(Ⅲ)浓度为2.4×10-7~6.0×10-6mol/L范围时,其线性回归方程为F0/F=1.1274+0.0640c(10-7mol/L),相关系数和检测限分别为0.9984和4.5×10-8mol/L。为Cr(Ⅲ)的测定提供了新的方法。

关键词:CdTe量子点;Cr(Ⅲ);荧光猝灭;

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