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纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

来源期刊：功能材料2001年第4期

论文作者：宁永功刘爽刘俊刚李昆杨家德陈艾

关键词：红外探测器; PtSi薄膜; 纳米级; 退火;

摘要：用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P-Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性.通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法,制备出4nm连续薄膜.

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宁永功¹，刘爽¹，刘俊刚²，李昆³，杨家德²，陈艾¹

(1.电子科技大学信息材料工程学院,;
2.重庆光电技术研究所,;
3.材料工程研究院,)

摘要:用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P-Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性.通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法,制备出4nm连续薄膜.

关键词:红外探测器; PtSi薄膜; 纳米级; 退火;

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