高能球磨-盐辅助氮化低温合成α-Si3N4粉体
来源期刊：材料导报2019年第5期
论文作者：张晶 李红霞 刘国齐
文章页码：739 - 743
关键词：α-Si3N4;低温合成;高能球磨;盐辅助氮化;晶须;
摘 要：以硅粉为原料,NaCl-NaF复合盐为反应介质和稀释剂,采用高能球磨-盐辅助氮化法制备出α-Si3N4粉体。研究了氮化温度、保温时间、盐硅比及复合盐中NaF含量对合成α-Si3N4的影响。利用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）对产物的物相组成和显微结构进行了分析表征。结果表明:氮化温度为1 200℃、保温时间为4 h、盐硅比为2∶1、复合盐中NaF含量为10%时,硅粉完全氮化。合成的产物中存在大量的α-Si3N4晶须,晶须的直径为40～280 nm,长度为几微米到几十微米;晶须的生长机制为VC机制。
张晶1,2，李红霞1，刘国齐1
1. 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室
摘 要：以硅粉为原料,NaCl-NaF复合盐为反应介质和稀释剂,采用高能球磨-盐辅助氮化法制备出α-Si3N4粉体。研究了氮化温度、保温时间、盐硅比及复合盐中NaF含量对合成α-Si3N4的影响。利用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）对产物的物相组成和显微结构进行了分析表征。结果表明:氮化温度为1 200℃、保温时间为4 h、盐硅比为2∶1、复合盐中NaF含量为10%时,硅粉完全氮化。合成的产物中存在大量的α-Si3N4晶须,晶须的直径为40～280 nm,长度为几微米到几十微米;晶须的生长机制为VC机制。
关键词：α-Si3N4;低温合成;高能球磨;盐辅助氮化;晶须;
