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低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

来源期刊：无机材料学报2002年第3期

论文作者：奚益明宋元伟沈辉王评初潘晓明

关键词：SrTiO3; GBBL电容器;

摘要：报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC).材料的有效介电常数高达37×104,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20～150℃),频率色散较小,且制备工艺简单.

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奚益明¹，宋元伟¹，沈辉¹，王评初¹，潘晓明¹

(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)

摘要:报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC).材料的有效介电常数高达37×104,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20～150℃),频率色散较小,且制备工艺简单.

关键词:SrTiO3; GBBL电容器;

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