CdGeAs₂晶体的热膨胀行为研究

来源期刊：无机材料学报2016年第2期

论文作者：甄珍 赵北君 朱世富 何知宇 陈宝军 黄巍 蒲云肖 钟义凯

文章页码：165 - 170

关键词：CdGeAs₂晶体;热膨胀;四方畸变;

摘    要：采用WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿CdGeAs₂晶体在320⁶20 K温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs₂晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa>>αc>0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs₂晶体的晶格常数（a,c）与温度（T）的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a,Cd-As键长（lCd As）和Ge-As键长（lGe As）以及相应的热膨胀系数αCd As和αGe As。结果表明,a、c、δ、lCd As、lGe As和αCd As均随着温度的升高而增大,c/a和Ge As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd As是αGe As的6.36倍,是造成CdGeAs₂晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。