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单晶铋纳米线阵列的可控生长

来源期刊：功能材料2004年增刊第1期

论文作者：李广海李亮张立德

关键词：铋; 纳米线阵列; 脉冲电沉积; 氧化铝模板;

摘要：采用脉冲电化学沉积技术,利用同一直径的氧化铝模板,通过调节脉冲参数制备出了不同直径的单晶铋纳米线阵列,同时实现了纳米线取向的可控生长.保持脉冲弛豫时间不变,纳米线的直径随着脉冲沉积时间的增加而变大,纳米线的取向随着脉冲占空比的变化发生移动.

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李广海¹，李亮¹，张立德¹

(1.中国科学院,固体物理研究所,安徽,合肥,230031)

摘要:采用脉冲电化学沉积技术,利用同一直径的氧化铝模板,通过调节脉冲参数制备出了不同直径的单晶铋纳米线阵列,同时实现了纳米线取向的可控生长.保持脉冲弛豫时间不变,纳米线的直径随着脉冲沉积时间的增加而变大,纳米线的取向随着脉冲占空比的变化发生移动.

关键词:铋; 纳米线阵列; 脉冲电沉积; 氧化铝模板;

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