两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第3期
论文作者：叶建青 王立 江风益 管志斌
关键词：两步镀膜Ti/Al/Ti/Au; GaN; 欧姆接触;
摘 要：报道了一种可靠稳定且低接触电阻的 n型 GaN欧姆接触.首先在掺硅的 n型 GaN (3?10 18cm-3)蒸镀 Ti(30nm)/Al(500nm), 然后在氮气环境 530℃合金化 3min, 最后蒸镀Ti(100nm)/Au(1000nm)用于保护 Al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为 8.8?10-5 Ω cm2,表面平坦、稳定、易焊线 ,可应用于制作高性能的 GaN器件.
叶建青1，王立2，江风益2，管志斌2
(1.南昌欣磊光电科技有限公司,南昌,330012;
2.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047)
摘要:报道了一种可靠稳定且低接触电阻的 n型 GaN欧姆接触.首先在掺硅的 n型 GaN (3?10 18cm-3)蒸镀 Ti(30nm)/Al(500nm), 然后在氮气环境 530℃合金化 3min, 最后蒸镀Ti(100nm)/Au(1000nm)用于保护 Al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为 8.8?10-5 Ω cm2,表面平坦、稳定、易焊线 ,可应用于制作高性能的 GaN器件.
关键词:两步镀膜Ti/Al/Ti/Au; GaN; 欧姆接触;
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