简介概要

氮化镓材料中的位错对材料物理性能的影响

来源期刊：材料导报2003年第11期

论文作者：倪贤锋叶志镇

关键词：GaN薄膜; 位错; 非辐射复合中心; 漏电流;

摘要：氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素.目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点.扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命.并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法.

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倪贤锋¹，叶志镇¹

(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)

摘要:氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素.目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点.扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命.并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法.

关键词:GaN薄膜; 位错; 非辐射复合中心; 漏电流;

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