石墨烯接枝聚吡咯复合物的原位合成及其电容特性研究

来源期刊：无机材料学报2013年第4期

论文作者：刘建华 张施露 于美 安军伟 李松梅

文章页码：403 - 408

关键词：石墨烯;聚吡咯;原位合成;复合物;比电容值;

摘    要：采用化学接枝法原位合成了石墨烯接枝聚吡咯复合物,对复合物的结构、形貌、导电率以及比电容值进行了测试和表征。结果表明制备的石墨烯接枝聚吡咯复合物中,石墨烯与吡咯单体间产生了紧密的化学键结合,吡咯在石墨烯层片上均匀分布,石墨烯片层间的吡咯大量成链并与石墨烯层片相互连接,测得复合物的电导率为3.32 S/cm,比电容值可以达到284 F/g,相比于纯聚吡咯的186 F/g的比电容值提高了52%,具有优异的电容特性。