微波功率器件及其材料的发展和应用前景
来源期刊：材料导报2004年第2期
论文作者：晏敏 曾健平 文剑
关键词：微波功率器件 设计 材料 HBT MESFET HEMT;
摘 要：介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.
晏敏1，曾健平1，文剑1
(1.湖南大学应用物理系,长沙,410082)
摘要:介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.
关键词:微波功率器件 设计 材料 HBT MESFET HEMT;
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