二维BN中四种本征带电缺陷电学和磁学性质第一性原理计算

来源期刊：功能材料2021年第1期

论文作者：刘雪飞 吕兵 罗子江

文章页码：1167 - 1172

关键词：二维h-BN;带电缺陷;本征缺陷;磁学性质;第一性原理;

摘    要：本征缺陷是半导体中最常见的缺陷,对本征缺陷在带电情况下的电学和磁学性质进行研究对深入理解半导体材料属性至关重要。本文基于密度泛函理论,首先对二维六方氮化硼（h-BN）的本征电子结构、载流子有效质量,弹性模量、杨氏模量和泊松比进行计算,发现其载流子有效质量具有各向异性,力学性质具有各向同性。然后对h-BN中最稳定价态下4种本征缺陷（V_B,V_N, B_N, N_B）的结构、电学和磁学性质进行深入讨论,结合电子配位构型和自旋态密度解释了各种缺陷在不同带电价态下的磁矩产生机制。