辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究
来源期刊：理化检验-化学分册2005年第2期
论文作者：张林春 吴则嘉 张毅 杨晟远 刘晓晗 陈英颖
关键词：辉光放电光谱法; 掺杂纳米硅薄膜; 溅射;
摘 要：介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜,通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度、剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.试验结果表明,分析方法快速、准确,具有实际应用价值.
张林春1，吴则嘉1，张毅2，杨晟远1，刘晓晗1，陈英颖3
(1.上海维安新材料研究中心有限公司,上海,200082;
2.上海交通大学,材料科学与工程学院,上海,200030;
3.宝山钢铁股份有限公司,技术中心,上海,201900)
摘要:介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜,通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法.方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度、剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照.试验结果表明,分析方法快速、准确,具有实际应用价值.
关键词:辉光放电光谱法; 掺杂纳米硅薄膜; 溅射;
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