KDP晶体柱面生长速率实时测量研究
来源期刊：无机材料学报2006年第1期
论文作者：孙洵 李毅平 王圣来 房昌水 顾庆天 刘冰
关键词：KDP晶体; 死区; 生长速率; 实时测量;
摘 要：KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响.本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量,精度达到0.01μm/min.籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果,小尺寸(约2mm×2mm)的晶体更有利于死区的表征,溶解阶段造成的晶体表面位错坑是出现干扰测量的"异常"现象的根源.
孙洵1，李毅平1，王圣来1，房昌水1，顾庆天1，刘冰1
(1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100)
摘要:KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响.本文用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量,精度达到0.01μm/min.籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果,小尺寸(约2mm×2mm)的晶体更有利于死区的表征,溶解阶段造成的晶体表面位错坑是出现干扰测量的"异常"现象的根源.
关键词:KDP晶体; 死区; 生长速率; 实时测量;
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