Si衬底GaN基LED理想因子的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第1期
论文作者：刘和初 周毛兴 王立 江风益 李有群 刘卫华 莫春兰 方文卿
关键词：Si衬底; GaN; LED; 理想因子;
摘 要：首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.
刘和初1，周毛兴1，王立1，江风益1，李有群1，刘卫华1，莫春兰1，方文卿1
(1.南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047)
摘要:首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.
关键词:Si衬底; GaN; LED; 理想因子;
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