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半导体金属氧化物的室温固相合成及其气敏特性研究

来源期刊:稀有金属材料与工程2002年第5期

论文作者:牛新书 徐甲强 许亚杰

关键词:半导体; 金属氧化物; 气敏性能; 固相化学反应;

摘    要:以无机盐为原料,在遵守热力学及动力学限制的前提下,对一定摩尔比的反应物进行研磨,使其发生室温固相化学反应而合成了SnO2,In2O3,ZnO,Fe2O3等半导体金属氧化物的纳米粉体;用XRD,TEM测试手段对产物的物相和微观结构进行了表征和分析.结果表明,固相化学反应完全,所得产物为理论产物,且平均粒径小于100nm.气敏性能研究结果表明,用该法制备的SnO2,In2O3元件对酒精、LPG气体有一定的灵敏度和选择性,而ZnO,Fe2O3气敏性能却较差.

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半导体金属氧化物的室温固相合成及其气敏特性研究

牛新书1,徐甲强2,许亚杰1

(1.河南师范大学,河南新乡,453002;
2.郑州轻工业学院化学工程系,河南郑州,450002)

摘要:以无机盐为原料,在遵守热力学及动力学限制的前提下,对一定摩尔比的反应物进行研磨,使其发生室温固相化学反应而合成了SnO2,In2O3,ZnO,Fe2O3等半导体金属氧化物的纳米粉体;用XRD,TEM测试手段对产物的物相和微观结构进行了表征和分析.结果表明,固相化学反应完全,所得产物为理论产物,且平均粒径小于100nm.气敏性能研究结果表明,用该法制备的SnO2,In2O3元件对酒精、LPG气体有一定的灵敏度和选择性,而ZnO,Fe2O3气敏性能却较差.

关键词:半导体; 金属氧化物; 气敏性能; 固相化学反应;

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